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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]芯片测试方法和装置-CN202310935104.0在审
  • 刘凡 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-26 - 2023-10-27 - G11C29/52
  • 本申请涉及一种芯片测试方法和装置。所述方法包括：配置刷新参数；进入自刷新模式，基于所述刷新参数执行自刷新操作，自刷新操作完成后退出自刷新模式；其中，所述自刷新操作包括向存储阵列发送刷新命令和行锤刷新命令，所述刷新命令和所述行锤刷新命令的操作次数之和为N+1，所述自刷新操作在第N+1次向所述存储阵列发送的命令为所述行锤刷新命令，N为大于1的正整数；读取所述存储阵列中的数据，当所述数据读取错误时，则确定存在异步信号差值。本申请配准的刷新参数，不仅可以检测到自刷新模式中存在的数据错误风险，降低了芯片产品的不良率；还可以大幅度降低测试时间，提高测试效率，节约了测试成本。
  • 芯片测试方法装置
  • [发明专利]半导体装置和数据处理系统-CN201810430859.4有效
  • 广部厚纪 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-05-08 - 2023-10-17 - G11C29/52
  • 本发明涉及半导体装置和数据处理系统，其提供了一种能够促进包括存储器装置和数据处理装置的半导体装置中的所述存储器装置中的数据的管理的技术。所述半导体装置包括第一外部端子、第二外部端子、数据处理装置和存储器装置。所述半导体装置还包括：第一总线，其耦合在所述数据处理装置与所述存储器装置之间；第二总线，其耦合在所述数据处理装置与所述第二外部端子之间；第三总线，其耦合到所述第一外部端子；以及控制电路，其耦合到所述第一总线和所述第三总线。所述控制电路具有使用所述第三总线对所述存储器装置的管理功能。
  • 半导体装置数据处理系统
  • [发明专利]存储器测试方法-CN202011111033.5有效
  • 许小峰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-10-16 - 2023-09-12 - G11C29/52
  • 本公开提供一种存储器测试方法。方法包括：确定目标存储库的刷新周期T、设计抵御攻击频率F以及单行读取时间t；根据刷新周期T、设计抵御攻击频率F以及单行读取时间t确定攻击行数N；根据所述攻击行数N的值在目标存储库中确定一组目标攻击行，所述一组目标攻击行包括N个目标攻击行，所述N个目标攻击行中的至少两个目标攻击行之间间隔一行；连续X次读取所述N个目标攻击行后，检测所述目标攻击行的全部相邻行是否发生数据异常以完成一次攻击测试；在M个所述刷新周期内对所述目标存储库完成MT/NXt次所述攻击测试，在所述攻击测试均未发生数据异常时，判断所述目标存储库抵御攻击能力达标。本公开实施例可以有效验证DRAM抵御行锤效应攻击的能力。
  • 存储器测试方法
  • [发明专利]使用有毒数据单位修改奇偶校验数据-CN202180082316.8在审
  • M·斯福尔津;P·阿马托;D·巴卢智 - 美光科技公司
  • 2021-12-07 - 2023-08-08 - G11C29/52
  • 本发明涉及与使用有毒数据单位修改奇偶校验数据相关的系统、设备及方法。实例方法可包含从存储器装置的控制器接收包含数据的第一组位及指示所述第一组位是否包括一或多个有错误的或被损坏的位的第二组至少一个位。所述方法可进一步包含在所述存储器装置的编码器处产生与所述第一组位相关联的奇偶校验数据。所述方法可进一步包含在所述存储器装置的逻辑处用所述奇偶校验数据组件及所述第二组至少一个位产生经修改奇偶校验数据。所述方法可进一步包含将所述第一组位及所述经修改奇偶校验数据写入于所述存储器装置的阵列中。
  • 使用有毒数据单位修改奇偶校验
  • [发明专利]TCAM自检方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202211708874.3在审
  • 李文军 - 北京物芯科技有限责任公司
  • 2022-12-29 - 2023-07-07 - G11C29/52
  • 本申请涉及一种TCAM自检方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：接收当前时刻的扫描请求；所述扫描请求包括请求操作、请求地址和选择存储标志位；根据所述扫描请求的请求操作向所述TCAM发送读操作指令，得到所述请求地址对应的TCAM存储表项；根据所述扫描请求的请求操作和选择存储标志位向对应的校验存储表项发送读操作指令，得到所述请求地址对应的校验存储表项；基于所述TCAM存储表项和所述校验存储表项按照校验算法进行校验。采用本方法能够，可以在不影响TCAM正常功能和性能的基础上进行TCAM存储数据检测，有效保证了芯片的可靠性和健壮性。
  • tcam自检方法装置计算机设备存储介质
  • [发明专利]一种高读取稳定性的抗软错误存储单元-CN202211440545.5在审
  • 刘中阳;肖军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-06-06 - G11C29/52
  • 本发明公开了一种高读取稳定性的抗软错误存储单元，包括：第一数据锁存结构，用于在字线以及冗余字线的控制下将位线上的信息予以锁存，接受第二数据锁存结构的输出节点的控制并将第一数据锁存结构的输出传输至第二数据锁存结构的控制端；第二数据锁存结构，用于在字线、冗余字线的控制下将位线上的信息予以锁存，接受第一数据锁存结构的输出节点的控制并将第二数据锁存结构的输出传输至第一数据锁存结构的控制端，以实现抗多节点翻转造成的软错误；字线开关电路，用于在字线的控制下将位线连接至第一数据锁存结构和第二数据锁存结构，同时在冗余字线的控制下将互补位线连接至第一数据锁存结构和第二数据锁存结果，以达到读出或写入信息的目的。
  • 一种读取稳定性错误存储单元
  • [发明专利]动态随机存取存储器器件和存储器系统-CN201811626581.4有效
  • 孙钟弼;金信镐 - 三星电子株式会社
  • 2018-12-28 - 2023-05-16 - G11C29/52
  • DRAM器件包括第一端子、第二端子、第三端子、控制信号发生器、CRC单元、行解码器、列解码器和存储器单元阵列。控制信号发生器生成控制信号。CRC单元执行以下操作：对第一数据组执行第一CRC逻辑操作，第一数据组包括通过输入n位第一数据q次而生成的qn位第一数据；生成第一CRC结果信号；对第二数据组执行第二CRC逻辑操作；第二数据组包括通过输入n位第二数据q次而生成的qn位第二数据；生成第二CRC结果信号；以及基于第一CRC结果信号和第二CRC结果信号生成错误信号。响应于所述控制信号基于所述第二CRC结果信号生成所述错误信号，而不管所述第一CRC结果信号如何。
  • 动态随机存取存储器器件存储器系统
  • [发明专利]多存储器装置中的危险检测-CN202210978811.3在审
  • 宋泽尚;S·S·马利克;C·巴拉普拉姆 - 美光科技公司
  • 2022-08-16 - 2023-02-17 - G11C29/52
  • 本申请涉及多存储器装置中的危险检测。装置可接收指示第一存储体地址、第一行地址和第一列地址的第一命令。基于所述第一存储体地址，所述装置可选择用于危险检测程序的缓冲器，所述危险检测程序检测危险命令。作为所述危险检测程序的一部分，所述装置可将来自所述第一命令的所述第一行地址和所述第一列地址与来自所述缓冲器中的第二命令的第二行地址和第二列地址进行比较。所述装置可基于将来自所述第一命令的所述第一行地址和所述第一列地址与来自所述第二命令的所述第二行地址和所述第二列地址进行比较来确定所述第一命令和所述第二命令是否是危险命令。
  • 存储器装置中的危险检测
  • [发明专利]硬盘测试方法、装置、电子设备和存储介质-CN202211337030.2在审
  • 王士涛 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-01-31 - G11C29/52
  • 本发明实施例提供硬盘测试方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：将硬盘空间划分为第一分区、第二分区和第三分区，在一致性测试前，在第一分区生成针对文件系统的第一哈希值，再向第二分区写入对齐数据块，向第三分区写入非对齐数据块，以并行进行一致性测试，在完成一致性测试后，在第一分区生成针对文件系统的第二哈希值，获取针对一致性测试的测试结果，以根据两个哈希值，判断一致性测试是否对文件系统造成损坏，根据测试结果，判断一致性测试是否出现数据不一致现象。通过将对齐一致性测试与非对齐一致性测试在同一个硬盘的不同分区中并行测试，大大缩短测试时间，且充分考虑到硬盘在实际场景中对齐和非对齐同时运行时的数据一致性。
  • 硬盘测试方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]电子器件-CN201810586747.8有效
  • 李在仁;陈永栽 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-06-08 - 2022-12-23 - G11C29/52
  • 一种电子器件包括区域控制信号发生电路和区域列控制信号发生电路。区域控制信号发生电路响应于操作控制信号和内部信息信号来产生区域控制信号。区域控制信号包括关于多个单元区域中的每一个单元区域是否执行错误校正操作的信息。区域列控制信号发生电路将列脉冲信号延迟根据区域控制信号确定的延迟时段，以产生控制多个单元区域的列操作的区域列控制信号。
  • 电子器件
  • [发明专利]熔丝型存储器内容的保护-CN202210265421.1在审
  • M·特里莫 - 意法半导体（格勒诺布尔2）公司
  • 2022-03-17 - 2022-09-27 - G11C29/52
  • 本公开的实施例涉及熔丝型存储器内容的保护。本公开涉及一种方法，其中集成电路在允许处理器对熔丝型非易失性存储器的第一区域的读取访问的第一状态(例如，封闭)和禁止处理器对存储器的读取访问的第二状态(例如，开封)之间的状态由有限状态机调节为对存储器的第一熔丝字的值和存储器的第二熔丝字的值的验证，所述第一熔丝字表示到第一状态的转变的数目，所述第二熔丝字表示到第二状态的转变的数目。
  • 熔丝型存储器内容保护
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