[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210141509.9 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103390646A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;胡智闵;龚正 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：一半导体沉积层，形成在一绝缘结构上及一衬底之上；半导体元件更包括一栅极，形成在半导体沉积层的第一与第二注入区之间的一接触区上；第一注入区与第二注入区两者皆具有一第一导电型，且栅极具有一第二导电型；半导体元件更可包括一第二栅极，形成在半导体沉积层之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一衬底；一绝缘结构，形成在该衬底上；一半导体沉积层，形成在该绝缘结构上及该衬底之上，该半导体沉积层具有一第一导电型；一第一注入区，形成在该半导体沉积层中，该第一注入区具有该第一导电型与较该半导体沉积层高的掺杂浓度；一第二注入区，形成在该半导体沉积层中，该第二注入区具有该第一导电型与较该半导体沉积层高的掺杂浓度；以及一金属接触层，形成在该半导体沉积层的一接触区上，该接触区位于该第一注入区与该第二注入区之间，一接面形成在该金属接触层与该半导体沉积层的该接触区之间，其中此接面为一肖特基势垒(Schottky barrier)。
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