[发明专利]一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具

摘要

本发明公开了一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具，属于半导体开关器件制造工艺技术领域。所述制造方法主要包括以下步骤：一、用通用方法在PN结的两面做好双面金属电极；二、使用专用刀具研磨结终端；三、对结终端的外表面进行处理；四、形成保护层。所述方法是采用具有一定角度的专用刀具，对硅片进行研磨切割，得到具有特定角度造型的结终端，之后对该结终端进行腐蚀抛光、表面涂胶钝化即可完成造型。工艺步骤简单，由于使用专用刀具能够加工较小芯片面积的结终端，并且成品率高，从而降低了制造成本。

主权项

一种高压功率半导体器件的结终端制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：采用普通扩散或注入工艺方法制作所需的PN结结构，并在PN结的上下两面做好双面金属电极；步骤二：使用刀具对结终端进行切割，将结终端中PN结的纵断面切割为梯形；步骤三：在切割后的结终端的两个金属电极的外表面涂抹保护胶，待保护胶干燥固化后采用常规的硅抛光腐蚀液对PN结的外表面进行短时间、快速腐蚀，待腐蚀掉损伤层后，快速大量冲水、并脱水；步骤四：在PN结的研磨斜面上涂抹绝缘保护胶并固化。