[发明专利]氧化物半导体膜及半导体装置有效
| 申请号： | 201210103353.5 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102738206A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥正弘;秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡嘉倩 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的之一是提供一种导电率稳定的氧化物半导体膜。另外，本发明的目的之一是通过使用该氧化物半导体膜，对半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。在包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体膜中，具有在平行于氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，c轴取向的结晶区的组成以In1+δGa1-δO3(ZnO)m(注意，0＜δ＜1，m＝1至3)表示，包括c轴取向的结晶区的整体的氧化物半导体膜的组成以InxGayO3(ZnO)m(注意，0＜x＜2，0＜y＜2，m＝1至3)表示。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体膜，包括：在大致平行于所述氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，其中所述c轴取向的结晶区的组成以In1+δGa1‑δO3(ZnO)m(满足0＜δ＜1和m＝1至3)表示，并且所述氧化物半导体膜的组成以InxGayO3(ZnO)m(满足0＜x＜2、0＜y＜2以及m＝1至3)表示。
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