[发明专利]绝缘栅型半导体装置

摘要

本发明公开一种绝缘栅型半导体装置。将MOSFET的栅极电极从基板周围引出的栅极引出线的引出部成为不能够配置以与元件区域内的效率相同地发挥作用的MOSFET晶体管单元。即，如果将栅极引出线例如沿着芯片的四边配置，则非工作区域增加，因此，扩大元件区域的面积和缩小芯片面积受到制约。在所述绝缘栅型半导体装置中，将栅极引出线和连接栅极引出线与保护二极管的导电体沿着芯片的同一边配置为不弯曲的直线状。并且，在栅极引出线和导电体的上部重叠并延伸且将保护二极管连接于栅极引出线和导电体的第一栅极层的弯曲部设为零或一个。而且，将保护二极管与导电体或栅极引出线邻接配置，并将保护二极管的一部分与栅极焊盘部靠近配置。

主权项

一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具有：一导电型的半导体层；逆导电型的沟道层，其设置在所述一导电型的半导体层的表面；多个条状的第一槽，该第一槽的深度设置为贯穿所述沟道层并到达所述一导电型半导体层，该第一槽在第一方向上延伸；第二槽，其与相邻的一组所述第一槽分别交叉为T形且在第二方向上延伸；第一绝缘膜，其设置在所述第一槽和所述第二槽的内壁；栅极电极，其埋设在所述第一槽和所述第二槽；第二绝缘膜，其埋设在所述第一槽和所述第二槽的所述栅极电极上；一导电型的源极区域，其在所述第二方向上延伸且在所述沟道层表面设置为条状。