[发明专利]多位半导体存储器的编程方法在审
| 申请号： | 201210082716.1 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103366811A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多位半导体存储器的编程方法，应用于半导体存储器技术领域，本发明提供的编程方法通过优化对多位存储器编程的操作步骤，减小了存储器内部的存储单元，在编程操作时由于字线电压或位线电压导致的轻微编程的干扰，以及相邻存储单元电容耦合带来的编程干扰，提高了编程操作的精确度，同时由于有效减少了编程操作步骤，从而达到了提高编程操作速度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种多位半导体存储器的编程方法，其特征在于，包括：将存储器内N个存储单元复位至初始状态，其中，N为存储器内存储单元的总个数，N为2的整数倍，且大于等于4；将所述存储器内预置编程至第一高阈值电压状态的存储单元编程至第一高阈值电压状态；由高至低，依次将预置第二高至第N‑1高阈值电压状态的存储单元编程至对应的阈值电压状态。
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