[发明专利]半导体发光二极管芯片、其制造方法及其质量控制方法无效
| 申请号： | 201210071635.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102683326A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 宋永僖;洪性在;黄圣德 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体发光二极管芯片、制造半导体发光二极管芯片的方法以及使用该半导体发光二极管芯片进行质量控制的方法。半导体发光二极管芯片包括基板；形成在基板的一个区域中的发光二极管；以及在基板的其它区域中被形成为与发光二级管电绝缘的至少一个熔丝签名电路。熔丝签名电路包括具有与基于晶片的工艺信息相对应的特有的电气特性值的电路单元；以及连接至电路单元的多个电极垫。半导体发光二极管芯片可包括表示信息的芯片信息标记。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 芯片 制造 方法 及其 质量 控制 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管芯片，包括：基板；发光二极管，所述发光二极管包括形成在所述基板的一个区域中并且包括第一化合物半导体层和第二化合物半导体层以及形成在所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的有源层的发光层压体；以及第一电极和第二电极，分别电连接至所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层；以及至少一个熔丝签名电路，所述至少一个熔丝签名电路在所述基板的其它区域中形成为与所述发光二极管电绝缘，并且所述至少一个熔丝签名电路包括具有与基于晶片的工艺信息相对应的特有电气特性值的电路单元；以及连接至所述电路单元以测量所述电气特性值的多个电极垫；其中，所述电路单元包括多个半导体元件和连接至所述多个半导体元件的多个熔丝，并且通过选择性地切断所述多个熔丝来确定所述电路单元的电气特性值。
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