[发明专利]半导体发光二极管芯片、其制造方法及其质量控制方法

权利要求书

1.一种半导体发光二极管芯片，包括：

基板；

发光二极管，所述发光二极管包括形成在所述基板的一个区域中并且包括第一化合物半导体层和第二化合物半导体层以及形成在所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的有源层的发光层压体；以及第一电极和第二电极，分别电连接至所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层；以及

至少一个熔丝签名电路，所述至少一个熔丝签名电路在所述基板的其它区域中形成为与所述发光二极管电绝缘，并且所述至少一个熔丝签名电路包括具有与基于晶片的工艺信息相对应的特有电气特性值的电路单元；以及连接至所述电路单元以测量所述电气特性值的多个电极垫；

其中，所述电路单元包括多个半导体元件和连接至所述多个半导体元件的多个熔丝，并且通过选择性地切断所述多个熔丝来确定所述电路单元的电气特性值。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述至少一个熔丝签名电路包括多个熔丝签名电路，并且所述多个熔丝签名电路分别形成在不同的区域中。

3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述多个半导体元件包括与所述发光层压体中所包含的所述半导体层一同生长的至少一个半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述基于晶片的工艺信息包括选自由晶片批号、批中的晶片编号、相应芯片在晶片内的位置以及工艺线标记组成的组中的至少一个。

5.根据权利要求4所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述相应芯片的位置包括相应标线内的标线划分坐标和位置坐标。

6.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述多个熔丝中的至少一个被切断。

7.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述多个半导体元件包括在所述基板的其它区域中与所述发光层压体的至少一个层一同生长的半导体层。

8.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述多个半导体元件包括半导体二极管。

9.根据权利要求8所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述半导体二极管包括在所述基板的其它区域中与所述发光层压体中的每一层一同生长的发光层压体。

10.根据权利要求8或9所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述多个半导体元件串联连接，并且所述多个熔丝中的每一个与所述多个半导体元件中的至少一个并联连接。

11.根据权利要求8或9所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述基板的其它区域进一步包括与所述发光层压体的每一层一同生长的附加半导体层压体，并且所述熔丝签名电路的所述电极垫形成在所述附加半导体层压体上。

12.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述多个半导体元件包括晶体管。

13.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述晶体管具有：无掺杂的第一半导体层；无掺杂的第二半导体层，所述无掺杂的第二半导体层作为沟道层形成在所述无掺杂的第一半导体层上并且具有设置在所述无掺杂的第一半导体层和所述无掺杂的第二半导体层之间的界面上的二维电气层；以及形成在所述无掺杂的第二半导体层上的源极、漏极和栅极。

14.根据权利要求13所述的半导体发光二极管芯片，所述晶体管形成在所述基板的其它区域中与所述发光层压体中的每一层一同生长的半导体层压体上。

15.一种半导体发光二极管封装件，包括：

根据权利要求1至14中任一项所述的半导体发光二极管芯片；

封装体，所述封装体上装配有所述半导体发光二极管芯片；

第一外部端子和第二外部端子，分别连接至所述半导体发光二极管芯片的第一电极和第二电极；以及

多个签名端子，分别连接至熔丝签名电路的多个电极端子。

16.一种制造半导体发光二极管芯片的方法，所述方法包括：

制备晶片，所述晶片上形成有根据权利要求1至14中的任一项所述的半导体发光二极管芯片；

基于所述芯片的基于晶片的工艺信息，选择性地切断多个熔丝中的至少一个，以使得电路单元具有预定的电气特性值；以及

切割所述晶片以获得各个芯片单元。