[发明专利]闪存单元结构以及闪存装置有效
| 申请号： | 201210061965.2 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102593158B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了闪存单元结构以及闪存装置。根据本发明的闪存单元结构包括L形ONO结构、布置在L形ONO结构的直角内侧的控制栅极多晶硅、布置在控制栅极多晶硅的相对于所述L形ONO结构的另一侧的二氧化硅区域、布置在二氧化硅区域的相对于控制栅极多晶硅的另一侧的字线多晶硅、以及布置在L形ONO结构的相对于控制栅极多晶硅的另一侧的位线。本发明提出一种新型的闪存单元结构以及闪存装置，充分利用硅衬底垂直方向的尺寸，实现L形的沟道，利用ONO结构作为存储材料，可以完成读、写、搽写的操作。与传统闪存器件相比，器件沟道的主要部分位于硅衬底垂直方向，这样可以更有利于缩减器件尺寸，增加器件集成密度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 结构 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种闪存单元结构，其特征在于包括：L形ONO结构、布置在所述L形ONO结构的直角内侧的控制栅极多晶硅、布置在所述控制栅极多晶硅的相对于所述L形ONO结构的另一侧的二氧化硅区域、布置在所述二氧化硅区域的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的字线多晶硅、以及布置在所述L形ONO结构的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的位线；在所述L形ONO结构的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧上，沿着所述L形ONO结构的边界区域构成L形沟道。
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