[发明专利]闪存单元结构以及闪存装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地说，本发明涉及一种闪存单元结构以及采用了该闪存单元结构的闪存装置。

背景技术

闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。

从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器。

闪存的运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。

如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。

随着消费电子产品和商用电子产品等的进步，为了实现消费电子产品和商用电子产品的小型化和便携性，希望其中的存储装置能够进一步小型化，即对于闪存装置，希望能够缩减器件尺寸、增加器件集成密度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种有利于缩减器件尺寸、增加器件集成密度的闪存单元结构以及采用了该闪存单元结构的闪存装置。

根据本发明的第一方面，提供了一种一种闪存单元结构，其包括：L形ONO结构、布置在所述L形ONO结构的直角内侧的控制栅极多晶硅、布置在所述控制栅极多晶硅的相对于所述L形ONO结构的另一侧的二氧化硅区域、布置在所述二氧化硅区域的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的字线多晶硅、以及布置在所述L形ONO结构的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的位线。

优选地，所述闪存单元结构与字线多晶硅侧的另一闪存单元结构共用字线多晶硅。

优选地，所述闪存单元结构与所述另一闪存单元结构相对于所述共用的字线多晶硅的对称轴对称布置。

优选地，在对所述闪存单元结构进行擦除时，使位线悬浮，对控制栅极多晶硅加-8V的电压，对所述闪存单元结构所在的衬底加8V的电压。

优选地，在对所述闪存单元结构进行编程时，对位线加5V的电压，对控制栅极多晶硅加8V的电压，对所述闪存单元结构所在的衬底加0V的电压，对字线多晶硅加1.5V的电压。

优选地，在对所述闪存单元结构进行读取时，对位线加1V的电压，对控制栅极多晶硅加0V的电压，对所述闪存单元结构所在的衬底加0V的电压，对字线多晶硅加3V的电压。

优选地，在对所述闪存单元结构进行编程时，对所述另一闪存单元结构的位线加大小等于Vdp的电压，对所述另一闪存单元结构的控制栅极多晶硅2加5V的电压。

优选地，在对所述闪存单元结构进行读取时，对所述另一闪存单元结构的位线加0V的电压，对所述另一闪存单元结构的控制栅极多晶硅加5V的电压。

根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明第一方面所述的闪存单元结构的闪存装置。

本发明提出一种新型的闪存单元结构以及闪存装置，充分利用硅衬底垂直方向的尺寸，实现“L”形的沟道，利用ONO结构作为存储材料，可以完成读、写、搽写的操作。与传统闪存器件相比，器件沟道的主要部分位于硅衬底垂直方向，这样可以更有利于缩减器件尺寸，增加器件集成密度。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明实施例的闪存单元结构。

图2示意性地示出了根据本发明另一实施例的闪存单元结构。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图1示意性地示出了根据本发明实施例的闪存单元结构。

如图1所示，根据本发明实施例的闪存单元结构包括：L形ONO(Oxide-Nitride-Oxide，二氧化硅/氮化硅/二氧化硅)结构1、布置在L形ONO结构1的直角内侧的控制栅极多晶硅2、布置在控制栅极多晶硅2的相对于L形ONO结构1的另一侧的二氧化硅区域3、布置在二氧化硅区域3的相对于控制栅极多晶硅2的另一侧的字线多晶硅4、以及布置在L形ONO结构1的相对于控制栅极多晶硅2的另一侧的位线5。