[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210058573.0 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102683386B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤瞳;斋藤隆行;野田耕生;高山徹 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的一对电极；氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜的至少一部分与所述栅电极重叠且该氧化物半导体膜的至少一部分与所述一对电极接触；以及所述氧化物半导体膜上的绝缘膜，其中，整体所述栅极绝缘膜和整体所述绝缘膜中的至少一个包含具有负的固定电荷的氧化硅膜，且所述氧化硅膜包含选自Al、Ga、In以及它们的组合的杂质。
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