[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS），属于半导体功率器件技术领域。该LDMOS包括：源区、栅介质层、漏区、漂移区、场氧化层、栅极以及独立设置在场氧化层之上的用于提高LDMOS的崩溃电压的场区辅助电极；栅极包括对应设置在栅介质层之上的第一部分和从所述第一部分延伸至部分所述场氧化层之上的第二部分；第二部分栅极的长度被从预定长度值缩短，如果第二部分栅极的长度被设置为预定长度值时，LDMOS的崩溃电压能够基本达到最大崩溃电压值。该LDMOS栅-漏电容Cgd小，开关速度快，并且，崩溃电压高，直流输出特性好。

主权项

一种LDMOS（20），包括： 源区（210），栅介质层（230），漏区（220），设置在所述漏区（220）和栅介质层（230）之间的漂移区，设置在所述漂移区之上的场氧化层（240），以及栅极（231）；其特征在于，所述栅极包括对应设置在所述栅介质层之上的第一部分（230a）和从所述第一部分延伸至部分所述场氧化层之上的第二部分（230b）；所述第二部分（230b）在沟道方向的第二长度（L3）被设置为小于预定长度值（L2）以减小所述LDMOS的栅‑漏电容；其中，所述LDMOS的崩溃电压随所述第二长度（L3）的变化而变化，所述LDMOS的栅极的第二部分（230b）的长度如果被设置为等于所述预定长度值（L2）时，所述LDMOS的崩溃电压能够基本达到最大崩溃电压值；并且，所述LDMOS还包括设置在场氧化层（240）之上的用于提高LDMOS的崩溃电压的场区辅助电极（250）。