[发明专利]导电接合材料、接合导体的方法以及制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201210035680.1 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102642095A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 山上高丰;久保田崇;石川邦子;北嶋雅之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | B23K35/24 | 分类号： | B23K35/24;B23K35/36;B23K1/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电接合材料、接合导体的方法及制造半导体器件的方法，所述导电接合材料包括如下的金属组分：高熔点金属粒子，其具有第一熔点或更高的熔点；中熔点金属粒子，其具有第二熔点，所述第二熔点为第一温度或更高以及第二温度或更低，所述第二温度低于第一熔点且高于第一温度；以及低熔点金属粒子，其具有第三熔点或更低的熔点，所述第三熔点低于第一温度。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 接合 材料 导体 方法 以及 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种导电接合材料，其包括如下的金属组分：高熔点金属粒子，其具有第一熔点或更高的熔点；中熔点金属粒子，其具有第二熔点，所述第二熔点为第一温度或更高至第二温度或更低，所述第二温度低于所述第一熔点且高于所述第一温度；和低熔点金属粒子，其具有第三熔点或更低的熔点，所述第三熔点低于所述第一温度。
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