[发明专利]一种肖特基超结半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210032202.5 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103208533B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基超结半导体装置，因为超结结构的存在，提高器件的反向击穿电压，改善器件的正向导通特性；同时器件正向导通为单个载流子导电的器件，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超结肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基超结 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有肖特基超结半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；超结结构，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料相互排列构成，并且第一导电半导体材料和第二导电半导体材料之间有绝缘介质隔离，绝缘介质和第二导电半导体材料连接衬底层；第一类型肖特基势垒结，位于超结结构的第一导电半导体材料表面；第二导电半导体材料上下设置背靠背结，为PN结位于衬底层表面和第二类型肖特基势垒结位于超结结构的第二导电半导体材料表面；半导体装置上表面和下表面覆盖有金属，上表面金属并联第一类肖特基势垒结和第二类型肖特基势垒结。
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