[发明专利]发光器件及发光器件封装件有效

专利信息
申请号: 201210023389.2 申请日: 2012-02-02
公开(公告)号: CN102956779B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 丁焕熙 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/62
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 蔡胜有,董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据实施方案的一种发光器件,包括支撑衬底;设置在支撑衬底上并且包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构;在第一发光结构下的第一反射电极;在第一反射电极周围的第一金属层;设置在支撑衬底上并且包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构;在第二发光结构下的第二反射电极;在第二反射电极周围的第二金属层;以及与第一发光结构的第一导电型第一半导体层的内部接触并且电连接至第二反射电极的接触部。
搜索关键词: 发光 器件 封装
【主权项】:
一种发光器件,包括:支撑衬底;设置在所述支撑衬底上并且包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构;在所述第一发光结构下的第一反射电极;在所述第一反射电极周围的第一金属层;设置在所述支撑衬底上并且包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构,所述第二发光结构与所述第一发光结构间隔开;在所述第二发光结构下的第二反射电极;在所述第二反射电极周围的第二金属层;以及与所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层的内部接触并且与所述第二反射电极电连接的接触部,其中所述第二金属层的设置于从所述第二导电型第二半导体层的侧表面到所述第二导电型第四半导体层的侧表面之间的顶表面暴露在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间,其中所述第一发光结构和所述第二发光结构之间的间隔在10微米内,以及其中所述支撑衬底支撑所述第一发光结构和所述第二发光结构并且配置为连接至外部电极以对所述第一反射电极供电。
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