[发明专利]封装的半导体管芯和CTE工程管芯对有效
| 申请号： | 201180076404.3 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN104137257B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | C·胡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L25/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了封装的半导体管芯和CTE工程管芯对和形成封装的半导体管芯和CTE工程管芯对的方法。例如，半导体封装包括衬底。半导体管芯嵌入衬底中且具有表面区域。CTE工程管芯嵌入衬底中并耦合到半导体管芯。CTE工程管芯具有与半导体管芯的表面区域相同且对准的表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 半导体 管芯 cte 工程 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：无凸点构建层(BBUL)衬底，所述无凸点构建层衬底包括密封剂层和多个构建层；半导体管芯，所述半导体管芯被嵌入所述无凸点构建层衬底中并且具有表面区域；以及CTE工程管芯，所述CTE工程管芯被嵌入所述无凸点构建层衬底中并且结合到所述半导体管芯，并且具有与所述半导体管芯的所述表面区域相同且对准的表面区域，其中所述CTE工程管芯具有与所述半导体管芯的平坦侧壁齐平的平坦侧壁，并且其中选择所述CTE工程管芯的厚度，以使所述CTE工程管芯的CTE控制所述半导体管芯和所述CTE工程管芯的组合CTE。
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