[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110459129.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187523A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 徐佳;吴关平;刘燕;任佳栋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括相变单元和分别位于相变单元相反的两个侧壁上的两个侧壁电极。相变单元包括三层结构，其中相变材料层夹在上部绝缘材料层和下部绝缘材料层之间。第一侧壁电极和第二侧壁电极与相变材料层的端面相接触。本发明通过设置侧壁电极，改变了电极与相变材料的连接方式。利用现有的制备工艺就能使电极与相变材料的接触面积减小，从而获得较小的驱动电流，满足半导体器件集成度不断提高的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：相变单元，所述相变单元包括上部绝缘材料层、下部绝缘材料层以及夹在所述上部绝缘材料层和所述下部绝缘材料层之间的相变材料层；以及第一侧壁电极和第二侧壁电极，分别位于所述相变单元相反的两个侧壁上，并与所述相变材料层的端面接触。
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