[发明专利]高压结型场效应晶体管的结构及制备方法有效
| 申请号： | 201110441024.7 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178093A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 宁开明;董科 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/808;H01L21/266;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压结型场效应晶体管的结构，其体区的深沟道中注入了一个反型层。本发明还公开了上述结构的HV JFET的制备方法，即在HV JFET的常规制备工艺中，在制作体区的衬底阱或漏端漂移区的反型层的同时，在体区的深沟道中通过光刻和离子注入工艺制作一个反型层。本发明通过往JFET体区的深沟道中注入类型相反的杂质，在未增加任何光刻层次的基础上，降低了JFET体区沟道的杂质浓度，使沟道更容易被耗尽，从而有效降低了HV JFET器件的夹断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 场效应 晶体管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压结型场效应晶体管的结构，包括体区和漏端漂移区，一深阱横贯体区和漏端漂移区，其特征在于，所述体区的深阱中注入有一个反型层，该反型层的杂质类型与该深阱的杂质类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110441024.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：家具铰链
- 下一篇：自对准接触孔绝缘层的结构及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
