[发明专利]制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上依次形成有掩膜层和具有图案的光刻胶层；对半导体衬底进行刻蚀，以形成具有第一宽度和第一高度的第一鳍，并去除掩膜层和光刻胶层；在半导体衬底上第一鳍的两侧形成种子层；去除第一鳍的至少一部分，以形成填充开口，其中第一鳍的被去除部分具有第二高度；选择性地仅在种子层的表面形成氧化物层，以缩小填充开口的尺寸；以及在被缩小的填充开口内形成具有第二宽度的第二鳍，第二宽度小于第一宽度。由于未直接形成较窄的鳍，因此能够避免显影、刻蚀等工艺中光刻胶层和掩膜层的倒塌，进而在半导体衬底中形成较窄的鳍，并且本发明的方法还能够准确地控制鳍的宽度。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩膜层和具有图案的光刻胶层；b)对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成具有第一宽度和第一高度的第一鳍，并去除所述掩膜层和所述光刻胶层；c)在所述半导体衬底上所述第一鳍的两侧形成种子层；d)去除所述第一鳍的至少一部分，以形成填充开口，其中所述第一鳍的被去除部分具有第二高度；e)选择性地仅在所述种子层的表面形成氧化物层，以缩小所述填充开口的尺寸；以及f)在被缩小的填充开口内形成具有第二宽度的第二鳍，所述第二宽度小于所述第一宽度。