[发明专利]半导体晶圆的表面处理方法、避免光刻胶残留的方法有效
| 申请号： | 201110379499.8 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102496558A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王彩虹;金乐群;胡林;赵新民;周孟兴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶圆的表面处理方法，为在涂光刻胶前用显影液对半导体晶圆进行表面处理，包括：旋转喷涂显影液，浸润，用去离子水冲洗，干燥等步骤。其中，表面处理所用显影液与后续工艺中用于酸碱中和反应中的显影液是相同的。本发明具有操作简单，且易于实现的优点，并且在去除较深凹槽中的光刻胶残留方面，有显著的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 处理 方法 避免 光刻 残留 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的表面处理方法，其特征在于，在涂光刻胶前用显影液对半导体晶圆进行表面处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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