[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。其中通过自对准硅化工艺形成金属硅化物层的半导体器件在可靠性上得到改善。通过根据局部反应方法的自对准硅化物工艺，在栅电极、n+型半导体区域和p+型半导体区域的相应表面之上形成金属硅化物层。在形成金属硅化物层时的第一热处理中，使用导热型退火装置进行半导体晶片的热处理。在第二热处理中，使用微波退火装置进行半导体晶片的热处理，由此降低第二热处理的温度并防止金属硅化物层的异常生长。因此，减小金属硅化物层中的结泄漏电流。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)制备半导体衬底；(b)在所述半导体衬底中形成半导体区域；(c)在包括所述半导体区域的半导体衬底之上形成金属膜；(d)执行第一热处理以使所述金属膜选择性地与所述半导体区域反应，并在所述半导体区域之上形成金属硅化物层；(e)在所述步骤(d)之后，去除所述金属膜的未反应部分，以在所述半导体区域之上保留所述金属硅化物层；(f)在所述步骤(e)之后，执行第二热处理；以及(g)在所述步骤(f)之后，在包括所述金属硅化物层的所述半导体衬底之上形成绝缘膜，其中，在所述骤(d)中，使用导热型退火装置执行所述第一热处理，其中，在所述步骤(f)中，使用微波退火装置执行所述第二热处理，其中，所述金属膜包含Ni和Pt，以及其中，在所述步骤(f)中，Pt通过所述第二热处理而在所述金属硅化物层的底表面处偏析。