[发明专利]一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110355686.2 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107186A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 胡君;刘冬华;钱文生;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底上形成有有源区、P型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方，P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧，P型膺埋层与有源区相连；N型重掺杂区形成于有源区上方，多晶硅层形成于钱沟槽隔离区上方与N型重掺杂区相邻；N型重掺杂区和P型膺埋层分别通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构的制造方法。本发明的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法能实现插入损耗在2dB以下，隔离度达到30dB以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bicmos 工艺 寄生 pin 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中寄生N‑I‑P型PIN器件结构，其特征是，包括：P型衬底上形成有有源区、P型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方，P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧，P型膺埋层与有源区相连；N型重掺杂区形成于有源区上方，多晶硅层形成于钱沟槽隔离区上方与N型重掺杂区相邻；N型重掺杂区和P型膺埋层分别通过接触孔引出连接金属连线。
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