[发明专利]TVS二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110312920.3 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050545A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 纪刚;顾建平 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;朱水平 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TVS二极管的制作方法包括以下步骤：提供包括N+型衬底和N-外延层的N+/N-外延衬底；在该N-外延层的表面中形成P+掺杂区域；在该N-外延层表面形成钝化层；在该N+/N-外延衬底的背面淀积金属金层形成阴电极；进行金属金的热扩散，使金属金层中的金属金从该N+/N-外延衬底的底部渗入至N+/N-外延衬底的内部，并扩散到PN结的周围以在该N+/N-外延衬底的内部形成金的替位掺杂区域；在该N-外延层的表面形成阳电极，其中该阳电极形成于该N-外延层的表面上与该P+掺杂区域相对应的位置。本发明还公开了一种TVS二极管。本发明将背面掺金工艺放至铝金属工艺前面，使一定浓度的金原子经热扩散进入硅衬底并替位硅原子形成复合中心，提高了TVS二极管的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | tvs 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TVS二极管的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、提供一N+/N‑外延衬底，其中该N+/N‑外延衬底包括N+型衬底和位于该N+型衬底表面上的N‑外延层；S2、在该N‑外延层的表面中形成P+掺杂区域；S3、在该N‑外延层的表面形成钝化层；S4、在该N+/N‑外延衬底的背面淀积金属金层形成阴电极；S5、进行金属金的热扩散，使金属金层中的金属金从该N+/N‑外延衬底的底部渗入至该N+/N‑外延衬底的内部，并扩散到由该P+掺杂区域以及该N‑外延层所形成的PN结的周围，以在该N+/N‑外延衬底的内部形成金的替位掺杂区域；S6、在该N‑外延层的表面形成阳电极，其中该阳电极形成于该N‑外延层的表面上与该P+掺杂区域相对应的位置，其中，所述的N型替换为P型时，P同时替换为N。
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