[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110301089.1 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102694034A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 大田刚志;新井雅俊;铃木诚和子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供—种半导体装置，其具有：第一导电型的半导体层、多个第一沟槽、绝缘层、导电层、第一半导体扩散层、及阳极电极。半导体层，形成于半导体基板上，且具有比第一杂质浓度小的第二杂质浓度；多个第一沟槽，以从半导体层的上表面向下方延伸的方式形成于半导体层中；导电层，以隔着绝缘层埋入第一沟槽的方式形成，且从半导体层的上表面向下方延伸到第一位置；第一半导体扩散层，从位于多个第一沟槽之间的半导体层的上表面起而到达第二位置，且具有比第二杂质浓度小的第三杂质浓度；阳极电极，与第一半导体扩散层进行肖特基接合。从半导体层的上表面到第二位置的长度为从半导体层的上表面到第一位置的长度的1/2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：阴极电极；第一导电型的半导体基板，与所述阴极电极电连接，并且具有第一杂质浓度；第一导电型的半导体层，形成于所述半导体基板上，并且具有比所述第一杂质浓度小的第二杂质浓度；多个第一沟槽，以从所述半导体层的上表面向下方延伸的方式形成于所述半导体层中；绝缘层，沿所述第一沟槽的内壁形成；导电层，以隔着所述绝缘层埋入所述第一沟槽的方式形成，并且从所述半导体层的上表面向下方延伸到第一位置；第一半导体扩散层，从位于所述多个第一沟槽之间的所述半导体层的上表面起而到达第二位置，并且具有比所述第二杂质浓度小的第三杂质浓度；以及阳极电极，形成于所述第一半导体扩散层及所述导电层的上表面，并且与所述第一半导体扩散层进行了肖特基接合，从所述半导体层的上表面到所述第二位置的长度为从所述半导体层的上表面到所述第一位置的长度的1/2以下。
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