[发明专利]一种沟槽MOS结构肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110287378.0 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103022155A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOS结构肖特基二极管，通过MOS结构改变漂移区的电场强度分布，使得峰值电场出现在沟槽底部附近的半导体材料中，而不是出现在肖特基势垒结附近；本发明还提供一种制备方法，可以实现两次光刻工艺实现器件的生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 结构 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS结构肖特基二极管，其特征在于：包括：多个沟槽位于半导体材料表面；沟槽内壁的底部和侧壁的下部表面设置有绝缘介质，沟槽之间半导体材料上部设置有绝缘介质；沟槽侧壁的上部为肖特基势垒结；沟槽内填充有栅极介质；半导体装置表面和背部区域覆盖有金属层。
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