[发明专利]半导体元件与其形成方法有效
| 申请号： | 201110263232.2 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102386234A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;冯家馨;王世维;苏晋德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例提供具有不对称的应变源极/漏极区的半导体元件与其形成方法，包含提供基板并形成多晶硅栅极堆叠于基板上。接着以垂直基板的方向为准，倾斜约10°至25°进行注入工艺。接着形成侧壁间隔物于基板上的多晶硅栅极两侧。蚀刻基板中的源极/漏极区后，分别沉积应力源极层与应力漏极层于基板中的蚀刻区域中。如此一来，在多晶硅栅极堆叠两侧形成不对称的应力源极层与应力漏极层。接着自基板移除多晶硅栅极堆叠，并以栅极后制工艺形成高介电常数的介电层与金属栅极于多晶硅栅极堆叠被移除的位置。本发明的上述不对称的源极/漏极结构能够增加元件效能如驱动电流或漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一基板；一金属栅极形成于该基板上；一补偿侧壁间隔物邻接该基板上的该金属栅极；一掺质注入于该基板中形成一掺质区，其中该掺质区靠近该金属栅极的第一侧延伸进该补偿侧壁间隔物下方，该掺质区靠近该金属栅极的第二侧不会延伸进该补偿侧壁间隔物下方，且该金属栅极的第二侧位于该金属栅极的第一侧的相反侧；以及一第一与第二源极/漏极区形成于该基板中，且该第一与第二源极/漏极区不对称。
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