[发明专利]一种场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110223044.7 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102916038A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 方绍明 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/027;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种场效应晶体管及其制造方法，该方法，包括：按照预定的光刻尺寸向衬底的外延层内注入硼杂质，形成浓硼区；在所述外延层上表面的有源区形成栅极氧化层；按照预定的光刻尺寸在所述栅极氧化层上表面形成栅极多晶硅，所述栅极多晶硅与所述浓硼区的在垂直于衬底方向无重叠；在所述外延层内形成硼P阱区和源区；覆盖介质层和金属层，形成场效应晶体管。使用本发明实施例提供的场效应晶体管及其制造方法，通过确保浓硼区和栅极多晶硅不重合，用以避免栅极通过栅氧化层中掺杂过多硼杂质的部分与源极之间产生栅源漏电，从而降低了产品栅源漏电几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：位于衬底上表面的外延层；位于所述外延层内的浓硼区；位于所述外延层上表面有源区的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层上表面的栅极多晶硅；其中，所述栅极多晶硅与所述浓硼区在垂直于衬底方向无重叠。
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