[发明专利]锗衬底的生长方法以及锗衬底有效
| 申请号： | 201110215672.0 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102383192A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/08 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种锗衬底的生长方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料； 在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层； 在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。
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