[发明专利]锗衬底的生长方法以及锗衬底有效
| 申请号： | 201110215672.0 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102383192A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/08 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 方法 以及 | ||
1.一种锗衬底的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；
在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；
在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。
2.根据权利要求1所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，多次交替实施生长第一锗晶体层的步骤和第二锗晶体层的步骤，获得第一锗晶体层和第二锗晶体层的堆叠结构。
3.根据权利要求1或2所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，在首次生长第一锗晶体层之前进一步包括如下步骤： 在支撑衬底表面生长缓冲层，缓冲层的材料与支撑衬底的材料相同，后续第一锗晶体生长于缓冲层的表面。
4.根据权利要求1所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，所述支撑衬底的材料为单晶硅。
5.根据权利要求1所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，所述第一温度和第二温度的取值范围均是200℃至900℃。
6.根据权利要求1所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，在生长第一锗晶体层之后进一步包括如下步骤： 对第一锗晶体层实施原位退火。
7.根据权利要求1所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，在生长第二锗晶体层之后进一步包括如下步骤： 对第二锗晶体层实施原位退火。
8.根据权利要求6或7所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，所述对第一锗晶体层和第二锗晶体层实施原位退火的步骤中，原位退火的温度范围是550℃至900℃，退火气氛为氢气。
9.根据权利要求7所述的锗衬底的生长方法，其特征在于，在对第二锗晶体层实施原位退火之后进一步包括如下步骤： 在第二锗晶体层表面采用第二温度外延生长第三锗晶体层。
10.一种锗衬底，包括支撑衬底和外延生长于支撑衬底表面的锗晶体层，所述支撑衬底为晶体材料，其特征在于，所述锗晶体层至少包括一采用第一温度外延生长的第一锗晶体层，和一采用第二温度外延生长的第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。
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