[发明专利]半导体装置的元件隔离结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置的元件隔离结构及其形成方法，该方法包括：准备半导体基底，该半导体基底具有限定在半导体基底上的无源区和有源区；在半导体基底上形成第一硬掩模；通过将第一硬掩模图案化来暴露半导体基底的无源区；在包括第一硬掩模的半导体基底的整个表面上形成第二硬掩模；通过将第二硬掩模和半导体基底图案化，在半导体基底中形成深沟槽；去除被图案化的第二硬掩模；通过使用第一硬掩模作为掩模将半导体基底图案化，来形成与深沟槽叠置的浅沟槽；在包括浅沟槽和深沟槽的基底的整个表面上形成绝缘膜；通过在绝缘膜上形成元件隔离膜来填充浅沟槽和深沟槽；通过选择性地去除元件隔离膜，在深沟槽和浅沟槽中形成元件隔离膜图案。

主权项

一种半导体装置的元件隔离结构，所述元件隔离结构包括：深沟槽区，形成在半导体基底中；浅沟槽区，形成在深沟槽区上方；第一元件隔离膜图案，形成在深沟槽区中；以及第二元件隔离膜图案，形成在浅沟槽区中，并能够与第一元件隔离膜图案接触，其中，第一元件隔离膜图案包括多晶硅膜，第二元件隔离膜图案包括化学气相沉积氧化物。