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[发明专利]半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法-CN201210336737.1在审
发明人：金官洙;金是范;郑钟烈;姜良范;李泰钟;申讲燮 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明的一个实施例所提供的半导体器件的金属布线，包含数字隔离区域、第一下部金属、第一上部金属、层叠在第一下部金属与第一上部金属之间的多个层间绝缘膜，每一个层间绝缘膜包含至少一个接触插塞，布置在最下侧的层间绝缘膜的接触插塞与第一下部金属接触，布置在最上侧的层间绝缘膜的接触插塞与第一上部金属接触，在相邻的两个层间绝缘膜中，一侧层间绝缘膜的接触插塞与另一侧层间绝缘膜的接触插塞相互接触。
半导体器件金属布线形成方法

[发明专利]半导体装置的元件隔离结构及其形成方法-CN201110208332.5有效
发明人： 姜良范 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的元件隔离结构及其形成方法，该方法包括：准备半导体基底，该半导体基底具有限定在半导体基底上的无源区和有源区；在半导体基底上形成第一硬掩模；通过将第一硬掩模图案化来暴露半导体基底的无源区；在包括第一硬掩模的半导体基底的整个表面上形成第二硬掩模；通过将第二硬掩模和半导体基底图案化，在半导体基底中形成深沟槽；去除被图案化的第二硬掩模；通过使用第一硬掩模作为掩模将半导体基底图案化，来形成与深沟槽叠置的浅沟槽；在包括浅沟槽和深沟槽的基底的整个表面上形成绝缘膜；通过在绝缘膜上形成元件隔离膜来填充浅沟槽和深沟槽；通过选择性地去除元件隔离膜，在深沟槽和浅沟槽中形成元件隔离膜图案。
半导体装置元件隔离结构及其形成方法