[发明专利]采用氟和氮掺杂的基板平衡功率和性能的方法和系统无效
| 申请号： | 201110205206.4 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102347363A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | B.A.安德森;T.B.胡克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H01L21/77;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及采用计算机装置评价用于功耗平衡和性能平衡的集成电路设计的方法和系统。根据此评价集成电路的步骤，为了实现希望的功耗平衡和性能平衡，该方法和系统可识别需要减小的功率泄漏的集成电路设计内第一组集成电路晶体管结构和需要更高的性能的第二组集成电路晶体管结构。以此，该方法和系统改变集成电路设计，以对于第一组集成电路晶体管结构，在栅极绝缘体形成之前包括将第一掺杂剂注入基板中；以及改变集成电路设计，以对于第二组集成电路晶体管结构，在栅极绝缘体形成之前包括将第二掺杂剂注入基板中。然后，该方法和系统从计算机装置输出改变的集成电路设计和/或根据该改变的集成电路设计制造装置。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 掺杂 平衡 功率 性能 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种晶体管装置，包括：基板；所述基板内的沟道区域；所述基板内的源极区域和漏极区域，所述沟道区域位于所述源极区域和所述漏极区域之间；高介电常数的栅极绝缘体，在所述沟道区域所在位置定位到所述基板的表面上并且连接到所述基板的表面；预定的氟浓度，在所述高介电常数的栅极绝缘体接触所述基板的位置处的所述基板内；以及栅极导体，在所述高介电常数的栅极绝缘体上且连接到所述高介电常数的栅极绝缘体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110205206.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
