[发明专利]半导体存储装置的占空比校正电路有效

专利信息
申请号: 201110051002.X 申请日: 2011-03-03
公开(公告)号: CN102468824A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 李惠英 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H03K3/017 分类号: H03K3/017
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;张文
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置的占空比校正电路,包括:占空比校正单元,被配置为响应于占空比校正范围控制信号来确定占空比校正范围,响应于占空比校正码来将输入时钟的占空比校正为落在所确定的占空比校正范围内,并产生占空比校正时钟;占空比检测单元,被配置为检测占空比校正时钟的占空比,并输出占空比信息;以及占空比校正码发生单元,被配置为基于占空比信息来产生占空比校正码。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 校正 电路
【主权项】:
一种半导体存储装置的占空比校正电路,包括:占空比校正单元,所述占空比校正单元被配置为响应于占空比校正范围控制信号来确定占空比校正范围,响应于占空比校正码来将所输入的时钟的占空比校正为落在所确定的所述占空比校正范围内,并产生占空比校正时钟;占空比检测单元,所述占空比检测单元被配置为检测所述占空比校正时钟的占空比,并输出第一占空比检测信号;以及占空比校正码发生单元,所述占空比校正码发生单元被配置为基于所述第一占空比检测信号来产生所述占空比校正码。
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  • 2016-05-11 - 2018-11-27 - H03K3/017
  • 本发明涉及一种血压测量装置的PWM电路占空比调节方法和系统。上述血压测量装置的PWM电路占空比调节方法,包括如下步骤:在血压测量装置工作时,获取袖带内的实时气压;根据所述实时气压及占空比‑气压关系模型计算血压测量装置中PWM电路的占空比;其中,所述占空比‑气压关系模型表示占空比与袖带内气压上升速度恒定时的气压之间的函数关系;根据所述占空比调节PWM电路的工作占空比。本发明提供的血压测量装置的PWM电路占空比调节方法和系统,可以适用于各种种类或者型号的血压测量装置,具有较高的调节效果,保证了PWM电路工作的稳定性。
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