[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110042830.7 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102646625A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：分别提供基底和压印模具，所述基底包括：绝缘层和覆盖所述绝缘层的硬掩膜层，所述压印模具至少具有第一凸台和第二凸台，且第一凸台和第二凸台具有不同的高度；使用所述压印模具对所述基底进行压印，使压印后的基底内具有与第一凸台相对应的第一开口，及与第二凸台相对应第二开口；沿第一开口在基底内形成第一沟槽，沿第二开口在基底内形成第二沟槽，且第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度。本发明的半导体器件的形成工艺简单，可以在同一步骤中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽的位置精度高，半导体器件的质量稳定性好，且制作半导体器件的成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，包括：分别提供基底和压印模具，所述基底包括：绝缘层和覆盖所述绝缘层的硬掩膜层，所述压印模具至少具有第一凸台和第二凸台，且第一凸台和第二凸台具有不同的高度；使用所述压印模具对所述基底进行压印，使压印后的基底内具有与第一凸台相对应的第一开口，及与第二凸台相对应第二开口；沿第一开口在基底内形成第一沟槽，沿第二开口在基底内形成第二沟槽，且第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
