[发明专利]半导体管芯与导电柱的形成方法有效
| 申请号： | 201010597704.3 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102315188A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 吕文雄;郑明达;林志伟;何明哲;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例公开了一种半导体管芯与导电柱的形成方法，该半导体管芯包含导电柱位于半导体管芯上。首先提供基板。接合垫位于基板上，且导电柱位于接合垫上。导电柱具有上表面、边缘侧壁、与高度。盖层位于导电柱的上表面上，并沿着导电柱的边缘侧壁延伸一段长度。焊料位于盖层的上表面上。本发明提供的方法可以改良铜柱的结构与形成方法以应用于半导体晶片，使其具有强大的电性效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 管芯 导电 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体管芯，包括：一基板；一接合垫位于该基板上；一导电柱位于该接合垫上，该导电柱具有一上表面、一边缘侧壁、与一高度；一盖层位于该导电柱的上表面上，并沿着该导电柱的该边缘侧壁延伸一长度；以及一焊料位于该盖层的上表面上。
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