[发明专利]半导体器件和在TSV转接板中形成开口腔以在WLCSMP中容纳半导体裸片的方法有效

专利信息
申请号: 201010294420.7 申请日: 2010-09-21
公开(公告)号: CN102034718A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: H·基;N·仇;H·辛 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L25/00;H01L23/36;H01L23/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 臧霁晨;高为
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 通过将半导体晶圆安装到临时载体而制造半导体器件。形成穿过该晶圆的多个TSV。形成部分穿过该晶圆的空腔。将第一半导体裸片安装到第二半导体裸片上。将该第一和第二裸片安装到该晶圆以便该第一裸片被置于该晶圆上方并被电连接到该TSV,且该第二裸片被置于该空腔内。在该晶圆和第一及第二裸片上方沉积密封剂。除去该密封剂的一部分以暴露该第一裸片的第一表面。除去该晶圆的一部分以暴露该TSV和该第二裸片的表面。该晶圆的剩余部分作为用于该第一和第二裸片的TSV转接板而工作。在该TSV转接板上方形成互连结构。
搜索关键词: 半导体器件 tsv 转接 形成 开口 wlcsmp 容纳 半导体 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:将半导体晶圆安装到临时载体上;形成穿过所述半导体晶圆的多个穿透硅通孔(TSV);形成部分地穿过所述半导体晶圆的空腔;将第一半导体裸片安装到第二半导体裸片上;将所述第一和第二半导体裸片安装到所述半导体晶圆上以便所述第一半导体裸片被置于所述半导体晶圆上方并被电连接到所述TSV上,且所述第二半导体裸片被置于所述空腔内;在所述半导体晶圆上方并围绕所述第一和第二半导体裸片沉积密封剂;除去所述密封剂的一部分以暴露所述第一半导体裸片的第一表面;除去所述半导体晶圆的一部分以暴露所述TSV和所述第二半导体裸片的第一表面,所述半导体晶圆的剩余部分作为用于所述第一和第二半导体裸片的TSV转接板而工作;以及在所述TSV转接板上方形成第一互连结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新科金朋有限公司,未经新科金朋有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010294420.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top