[发明专利]半导体器件和在TSV转接板中形成开口腔以在WLCSMP中容纳半导体裸片的方法有效
申请号: | 201010294420.7 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102034718A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | H·基;N·仇;H·辛 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/00;H01L23/36;H01L23/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;高为 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过将半导体晶圆安装到临时载体而制造半导体器件。形成穿过该晶圆的多个TSV。形成部分穿过该晶圆的空腔。将第一半导体裸片安装到第二半导体裸片上。将该第一和第二裸片安装到该晶圆以便该第一裸片被置于该晶圆上方并被电连接到该TSV,且该第二裸片被置于该空腔内。在该晶圆和第一及第二裸片上方沉积密封剂。除去该密封剂的一部分以暴露该第一裸片的第一表面。除去该晶圆的一部分以暴露该TSV和该第二裸片的表面。该晶圆的剩余部分作为用于该第一和第二裸片的TSV转接板而工作。在该TSV转接板上方形成互连结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 tsv 转接 形成 开口 wlcsmp 容纳 半导体 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:将半导体晶圆安装到临时载体上;形成穿过所述半导体晶圆的多个穿透硅通孔(TSV);形成部分地穿过所述半导体晶圆的空腔;将第一半导体裸片安装到第二半导体裸片上;将所述第一和第二半导体裸片安装到所述半导体晶圆上以便所述第一半导体裸片被置于所述半导体晶圆上方并被电连接到所述TSV上,且所述第二半导体裸片被置于所述空腔内;在所述半导体晶圆上方并围绕所述第一和第二半导体裸片沉积密封剂;除去所述密封剂的一部分以暴露所述第一半导体裸片的第一表面;除去所述半导体晶圆的一部分以暴露所述TSV和所述第二半导体裸片的第一表面,所述半导体晶圆的剩余部分作为用于所述第一和第二半导体裸片的TSV转接板而工作;以及在所述TSV转接板上方形成第一互连结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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