[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201010234111.0 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101964362A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;中村亮太;长尾胜久 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，包括：由被添加了导电型杂质的材料构成的半导体区域；在所述半导体区域的表面上形成的绝缘膜；和在所述绝缘膜上形成、至少与所述绝缘膜相接的部分由具有比Si的费米能级更接近所述半导体区域的费米能级的费米能级的材料构成、且具有导电性的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：由添加了导电型杂质的材料构成的半导体区域；在所述半导体区域的表面上形成的绝缘膜；和在所述绝缘膜上形成、至少与所述绝缘膜相接的部分由具有比Si的费米能级更接近所述半导体区域的费米能级的费米能级的材料构成、且具有导电性的栅电极。
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