[发明专利]半导体芯片分割方法无效
| 申请号： | 201010174034.4 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102237308A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吴名清 | 申请（专利权）人： | 利顺精密科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种将半导体晶圆(wafer)分割成多个芯片(Chip)的方法，包含有取用一待切割晶圆以及一支撑用的基板，然后将一以可溶性材质制成的分隔层夹置于该待切割晶圆以及一基板之间，形成一三明治状物。再之，以蚀刻方式将该待切割晶圆形成多个附着于该分隔层上的芯片；继之则是取用一设备，该设备具有一内部空间以及一承载面；然后将该三明治状物以该待切割晶圆朝该承载面的方式固置于该设备的内部空间内；最后再将一溶解液灌填于该设备的内部空间内用以溶解该分隔层，并使由该待切割晶圆切割而成的各该多个芯片，分别地被承放于该设备的承载面上而完成分割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 分割 方法 | ||
【主权项】：
一种将半导体晶圆分割成多个芯片的方法，包含有如下的步骤：取用一待切割晶圆以及一基板；将一以可溶性材质制成的分隔层夹置于该待切割晶圆以及一基板之间，形成一三明治状物；蚀刻该待切割晶圆形成多个附着于该分隔层上的芯片；取用一设备，该设备具有一内部空间以及一承载面；将该三明治状物以该待切割晶圆朝该承载面的方式固置于该设备的内部空间内；将一溶解液灌填于该设备的内部空间内用以溶解该分隔层，并使各该多个芯片被承放于该设备的承载面上而完成分割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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