[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201010134596.6 | 申请日: | 2010-03-15 |
公开(公告)号: | CN101859769A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 高桥彻雄;大月高实 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/92;H01L29/06;H01L21/77;H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王丹昕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中,在衬底(50)内形成有N型杂质区域(1)。P型表面降场层(18)在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面形成。P型阱(2)与P型表面降场层(18)相比具有高杂质浓度,并且在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面中与P型表面降场层(18)接触而形成。第一高压侧板(8)与N型杂质区域(1)电连接,并且第一低压侧板(7)与P型杂质区域(2)电连接。下部场板(20)在与衬底(50)之间能够形成下部电容耦合。上部场板(17)在与下部场板(20)相比从衬底(50)离开的位置形成,并且在与下部场板(20)之间能够形成比下部电容耦合的电容大的上部电容耦合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其中,具备:衬底,具有主表面;第一导电型的第一杂质区域,在所述衬底内形成;第二导电型的表面降场层,在所述第一杂质区域内的所述主表面形成;第二导电型的第二杂质区域,与所述表面降场层相比具有高杂质浓度,并且在所述第一杂质区域内的所述主表面中与所述表面降场层接触而形成;以及多个场板,在所述多个场板中至少一个与所述第一杂质区域电连接,并且在所述多个场板中至少另一个与所述第二杂质区域电连接,所述多个场板包含下部场板和上部场板,所述下部场板能够在与所述衬底之间形成下部电容耦合,所述上部场板在与所述下部场板相比从所述衬底离开的位置形成,并且能够在与所述下部场板之间形成具有比所述下部电容耦合的电容大的电容的上部电容耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的