[发明专利]SAB工艺器件的制作方法及SAB工艺器件无效
| 申请号： | 201010100504.2 | 申请日： | 2010-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102136421A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈琛;左燕丽;徐丹;孙庭辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SAB工艺器件的制作方法，在MOS器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行：在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分MOS器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的SAB膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。本发明还公开了一种采用上述方法得到的SAB工艺器件，包括并排排列的多个晶体管结构，其中部分晶体管结构上方覆盖有SAB膜，在所述SAB膜与其所覆盖的晶体管结构之间还有一层氮化硅层。本发明通过在SAB膜下多加一层氮化硅层，消除了SAB膜刻蚀对侧墙造成的影响，使得SAB工艺器件中的侧墙形貌非常均匀，保证了后续工艺的顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | sab 工艺 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SAB工艺器件的制作方法，其特征在于，在MOS器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行：在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分MOS器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的SAB膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
