[发明专利]多个半导体存储器单元中的错误校正有效
| 申请号： | 200980147989.6 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102227779A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 戴维·R·雷斯尼克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/24;G11C29/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 各种实施例包含将数据存储于第一半导体存储器单元中且将错误校正信息存储于第二半导体存储器单元中以恢复所述数据的设备及方法。所述错误校正信息具有等于至少所述第一存储器单元中所存储的所述数据的值的值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 单元 中的 错误 校正 | ||
【主权项】：
一种设备，其包括：第一半导体存储器单元，其经配置以存储具有第一值的数据；及第二半导体存储器单元，其经配置以存储错误校正信息以恢复所述数据，所述错误校正信息具有等于至少所述第一值的值。
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