[发明专利]半导体器件的接触件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910169150.4 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101673726A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 金明洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的接触件及其制造方法，所述接触件用于防止通过接触插塞生成或引进噪音，其中所述接触插塞连接不同层中的布线。该接触件包括：下布线，覆盖所述下布线的绝缘层，通过所述绝缘层连接到所述下布线的接触插塞，环绕所述接触插塞的导电管且在所述接触插塞和所述导电管之间具有绝缘层，以及连接到所述接触插塞的上布线。本发明的接触件用来防止通过接触插塞生成和流入噪音。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：下布线，形成在半导体衬底上方；绝缘层，覆盖所述下布线；接触插塞，通过所述绝缘层连接到所述下布线；导电管，环绕至少部分所述接触插塞，所述绝缘层在所述导电管和所述接触插塞之间延伸；以及上布线，形成在所述绝缘层上方并连接到所述接触插塞。
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