[发明专利]一种晶体管器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910089793.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964364A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵柏儒;付跃举;袁洁;许波;朱北沂;李俊杰;金爱子;曹立新;邱祥冈 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/73;H01L29/12;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部分上形成的两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；在该两个钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上分别形成的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在该两个分隔开的第二导电类型氧化物层上分别形成的第一和第二金属电极；在未被钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层占据的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的第三金属电极。该第一、第二和第三金属电极均为贵金属。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种叠层钙钛矿结构氧化物p‑i‑n结，其包括：第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在该第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；和在该钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上形成的与第一导电类型不同的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层。
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