[发明专利]一种晶体管器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910089793.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964364A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵柏儒;付跃举;袁洁;许波;朱北沂;李俊杰;金爱子;曹立新;邱祥冈 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/73;H01L29/12;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结，其包括：
第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；
在该第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；和
在该钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上形成的与第一导电类型不同的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层。
2.一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管，其包括：
氧化物单晶衬底；
在该氧化物单晶衬底之上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；
在该第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部分之上形成的两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；
分别在该两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层之上形成的与第一导电类型不同的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层；和
分别在该两个分隔开的第二导电类型氧化物之上形成的第一和第二金属电极；
在上述未被所述钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层占据的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的第三金属电极，其中该第三金属电极与所述钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层、所述第二导电类型的钙钛矿结构氧化物和第一和第二金属电极电隔离。
3.根据权利要求2所述的双极性晶体管，其中所述氧化物单晶衬底包括SrTiO3、MgO或LaAlO3的单晶体，所述第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层为p-型锰氧化物超大磁电阻材料或者p-型铜氧化物超导体材料，其中所述p-型锰氧化物超大磁电阻材料为铁磁性的钙钛矿结构锰氧化物材料，其包括La1-xCaxMnO3、La1-ySryMnO3或Nd1-zSrzMnO3，其中0.2＜x＜0.4，0.2＜y＜0.4，0.3＜z＜0.45，所述p-型铜氧化物超导体材料为YBa2Cu3O7或La2-xSrxCuO4。
4.根据权利要求2所述的双极型晶体管，其中所述钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层为(Pb1-eZre)TiO3、BaTiO3或Ba1-eSreTiO3材料，其中0＜e＜0.5。
5.根据权利要求2所述的双极型晶体管，其中所述第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层为n型铜氧化物高温超导体或者n型锰氧化物磁电阻材料，其中所述n型铜氧化物高温超导体为La2-aCeaCuO4、Nd2-bCebCuO4或Sr1-fYfCuO2，其中Y为Nd、La或者Pr，并且0.08＜a＜0.16，0.13＜b＜0.16，0.13＜c＜0.16，0.1＜f＜0.15，和其中所述n型锰氧化物磁电阻材料为La1-dCedMnO3，其中0.2＜d＜0.4。
6.根据权利要求2所述的双极型晶体管，其中所述第一导电类型和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层的厚度分别为50-200纳米，所述钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层的厚度为10-50纳米。
7.根据权利要求2所述的双极型晶体管，其中所述第一、第二和第三金属电极采用贵金属材料，优选为形成金属电极在整个器件表面形成氧化物绝缘层以用于电绝缘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910089793.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
