[发明专利]一种用于GaN外延的衬底的加工方法

摘要

本发明提供了一种用于GaN外延的衬底的加工方法，包括以下步骤：(1)对切割后的单晶棒进行研磨以去掉晶片的刀痕；(2)对研磨后的晶片进行化学机械抛光以去除研磨造成的损伤层；(3)对化学机械抛光后的晶片进行退火以去除近表面原子的损伤，退火温度为500℃－1500℃，保温时间为10小时－20小时；(4)清洗抛光后的晶片以去除表面上的残留粒子和沾污物。本发明只需进行简单的化学机械抛光即可得到合乎要求的衬底，无需进行后序的超精密化学机械抛光，减小了衬底的加工成本，提高了加工效率。该方法简单易行，制得的单晶衬底表面图形的条纹为不规则任意取向的划痕，其光提取效率大大提高。

主权项

1.一种用于GaN外延的衬底的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)对切割后的单晶棒进行研磨以去掉晶片的刀痕：a将粒度为20μm～50μm的碳化硼或碳化硅或氧化铝微粉与水和悬浮剂按重量比1:1～200：0.1～200的比例配制研磨液；b在研磨机上采用研磨盘使用配制的研磨液对晶片进行研磨直至去掉晶片的刀痕，控制晶片上的压力在30g/cm2～500g/cm2；(2)对研磨后的晶片进行化学机械抛光以去除研磨造成的损伤层：a将粒度小于20μm的碳化硼或碳化硅或氧化铝或金刚石微粉与水、分散剂和悬浮剂按重量比1:1～200：0.1～10：1～200的比例配制抛光液；b在抛光机上采用锡盘或铜盘使用配制的抛光液对研磨后的晶片进行化学机械抛光直至去除研磨造成的损伤层，控制晶片上的压力在30g/cm2～500g/cm2，抛光温度为30℃～70℃；(3)对化学机械抛光后的晶片进行退火以去除近表面原子的损伤；(4)用湿法清洗液清洗抛光后的晶片，以去除表面上的残留粒子和沾污物。