[发明专利]多芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明一种多芯片封装结构的制作方法，其于第一硅片的一预定的切割线上，形成多个局部移除第一硅片以及第一金属层所产生的凹穴，并使第一线路层的导电壁与显露于凹穴中的第一金属层的切割剖面电性连接。此外，第二硅片以其导电凸块压合于一覆盖层中，并与第一线路层电性连接。接着，图案化第一金属层，以形成具有多个第二接垫的一第二线路层。最后，沿着预定的切割线切割第一硅片以及第二硅片，以形成多个分离的多芯片封装结构。

主权项

1.一种多芯片封装结构的制作方法，其特征在于包括：提供一第一硅片，该第一硅片具有一主动表面以及相对的一背面，该主动表面上设有多个焊垫；贴附一第一金属层以及一基板于该第一硅片的该背面，该第一金属层位于该第一硅片与该基板之间，该第一金属层以一背胶层与该第一硅片的背面相粘，而该基板以一胶片与该第一金属层相粘；图案化位于该主动表面上的一第一绝缘层，以使该第一绝缘层形成多个显露所述焊垫的开孔；在该第一硅片的一预定的切割线上，形成多个局部移除该第一绝缘层、该第一硅片以及该第一金属层所产生的凹穴；形成一隔离层于所述凹穴中的硅片切割剖面上；形成一具有多个第一接垫的第一线路层于该第一绝缘层上，且该第一线路层的导电壁与显露于所述凹穴中的该第一金属层的切割剖面电性连接；形成一覆盖层于该第一线路层上以及所述凹穴中；提供一第二硅片，该第二硅片贴附于一载板上，且多个导电凸块形成于该第二硅片上；该第二硅片以所述导电凸块压合于该覆盖层中，并与该第一线路层电性连接；移除该基板以及该胶片，以显露该第一金属层；图案化该第一金属层，以形成具有多个第二接垫的一第二线路层；以及沿着该预定的切割线切割该第一硅片以及该第二硅片，以形成多个分离的多芯片封装结构。