[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810083430.9 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101261993A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 高桥寿史 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/105;H01L27/02;H01L27/08;H01L27/085 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件。在包括排列成阵列的多个单位单元的半导体器件中，晶体管依赖于阵列中的位置而不同程度地受到来自STI的应力的影响。结果，在晶体管特性方面出现变化。在根据本发明的半导体器件中，阵列中的最外侧单元块中的预定晶体管的每一个具有根据来自所述STI的应力设定的晶体管尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包括：多个单位单元的阵列；以及围绕所述阵列的器件隔离，其中在器件隔离附近的一个所述单位单元具有与设置为远离器件隔离的另一个所述单位单元中的另一个晶体管相比物理特性不同而电学特性实质上相同的晶体管。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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