[发明专利]钎焊接合方法和使用该方法的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810082231.6 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101254561A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 大西一永;西村芳孝;西泽龙男;望月英司 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种钎焊接合方法及使用该方法的半导体装置的制作方法，在第一部件的钎焊接合预定区域的外周部的至少一部分上，照射激光形成氧化膜，通过软钎料使第二部件与所述钎焊接合预定区域接合。即使进行除去软钎料中包含的焊剂残渣的药品清洗，软钎料抗蚀剂也不剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 钎焊 接合 方法 使用 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1、一种钎焊接合方法，将第一部件和第二部件钎焊接合，其特征在于，包括：在第一部件的钎焊接合预定区域的外周部的至少一部分上照射激光形成氧化膜的工序；和通过软钎料使第二部件与所述钎焊接合预定区域接合的工序。
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