[发明专利]半导体装置封装结构及方法无效

专利信息
申请号: 200810081785.4 申请日: 2008-03-13
公开(公告)号: CN101266959A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 杨文焜;林殿方 申请(专利权)人: 育霈科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一半导体装置封装结构与形成方法;其中该结构至少包含一基材,该基材有数个填充传导金属的贯通开口,用以进行电性连接或散热,一包含焊垫的芯片,藉具高热传导性黏胶贴合于传导焊垫,一导线连接传导焊垫与芯片焊垫,一保护层藉造模或散布法覆盖于芯片、导线与部份焊垫上,一锡球则设置于焊垫上。本发明优点为:结构缩减;结构散热性变佳;该半导体装置结构并可形成半导体装置封装结构的堆栈结构;焊垫则提供该结构较佳接地与散热效果。
搜索关键词: 半导体 装置 封装 结构 方法
【主权项】:
1.一半导体装置封装结构,其特征在于,该半导体装置封装结构包含:一基材,包含贯通开口形成于内;其中该贯通开口以传导材质填充,以进行电性连接与散热;一传导焊垫形成于所述的基材一表面;一芯片,包含芯片焊垫,藉具高热传导性黏胶,贴合于所述的传导焊垫上;一导线,用以接合所述的传导金属焊垫与所述的芯片焊垫,用以保持电性连接;一保护层,覆盖所述的芯片、导线与部份传导焊垫;与一锡球设置于所述的焊垫上。
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