[发明专利]灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法以及灰阶掩模有效

申请号：	200810074062.1	申请日：	2008-02-21
公开（公告）号：	CN101256349A	公开（公告）日：	2008-09-03
发明（设计）人：	坂本有司	申请（专利权）人：	HOYA株式会社;韩国HOYA电子株式会社
主分类号：	G03F1/00	分类号：	G03F1/00;G03F1/08;G03F7/20
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	李贵亮
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种灰阶掩模，在透明基板上形成半透光膜和遮光膜，通过施加规定的图案而具有遮光部、透光部、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部，用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案。利用半色调膜形成半透光部。在本发明的灰阶掩模的缺陷修正方法中，在半透光部产生缺陷时确定该缺陷部分，决定用于在确定的缺陷部分形成修正膜的成膜装置和成膜材料，在使用决定的成膜装置和成膜材料时，决定成膜面积使得曝光光的透过量在规定范围，形成决定的成膜面积的修正膜。
搜索关键词：	灰阶掩模缺陷修正方法制造以及
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【主权项】：

1.一种灰阶掩模的缺陷修正方法，所述灰阶掩模在透明基板上形成半透光膜和遮光膜，通过施加规定的图案具有：遮光部；透光部；以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部，所述灰阶掩模用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案，其特征在于，利用所述半透光膜形成所述半透光部，在所述半透光部产生缺陷时确定该缺陷部分，决定用于在所述确定的缺陷部分形成修正膜的成膜装置和成膜材料，在使用所述决定的成膜装置和成膜材料时，决定成膜面积以使所述曝光光的透过量在规定范围内，形成所述决定了的成膜面积的所述修正膜。

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摘要：一种掩膜版缺陷的判断方法，包括：提供具有图形的掩膜版及不同晶片，将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上；获取所述晶片的图形，判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置；提供位置阈值，对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较，若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值，则判断所述这些缺陷位于同一区域内；提供预定值，若同一区域内的缺陷所在晶片数量超过所述预定值，则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。本发明还提供一种掩膜版缺陷的判断系统，实现在线对掩膜版的缺陷进行判断的功能，及时判断出缺陷掩膜版，精确判断效果，提高判断效率。

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摘要：本发明公开了一种光刻技术中实现对准偏差测量的方法和光刻游标尺，该方法和装置应用于光刻技术领域。光刻游标尺包括：多条游标尺的短尺齿设置在第一层光刻板图形中，并且各短尺齿等间距排列；多条游标尺的长尺齿设置在第二层光刻板图形中，该长尺齿与所述短尺齿交错排列，并且以长尺齿正中的一条尺齿为原点，该原点正负两端的长尺齿与该原点间隔的距离分别为长尺齿所在坐标的绝对值乘上游标尺的分辨率的二倍所得乘积加上长尺齿距离原点的原始距离，长尺齿与短尺齿组合形成一幅游标尺，其中，所述原始距离为所述长尺齿与原点之间所有长尺齿和短尺齿的宽度值之和。应用本发明实施例提供的方法和装置能够克服现有技术中光刻游标尺读数困难的问题。

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摘要：本发明公开了用于制造液晶显示器的半色调掩模板及其制作方法，为得到制作液晶显示器面板薄膜晶体管的沟道时，理想的光刻胶侧面坡度而发明。一种半色调掩膜板包括基板，所述基板包括半透射区域，在所述半透射区域的至少一侧设有与所述半透射区域相邻的非透射区域，其中，所述半透射区域包括位于所述半透射区域边缘的增透射区域；在所述非透射区域设有第一掩膜层，在所述第一掩膜层上设有第二掩膜层，且所述第二掩膜层由非透射区域延伸到所述增透射区域；所述延伸到所述增透射区域的第二掩膜层部分与所述基板相隔；在所述半透射区域设有半透射层，所述半透射层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度。所述半色调掩膜板及其制作方法可用于制造液晶显示器。

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摘要：一种光刻版，所述光刻版包括基板和位于基板上的多组检测单元；所述基板包括第一区和第二区，且采用所述光刻版对衬底上的光刻胶进行曝光，形成的与第一区对应的光刻胶图形位于衬底第一区域，形成的与第二区对应的光刻胶图形位于衬底第二区域；所述检测单元至少由2种条形组组成，每条形组内的条宽相同，每条形组内的条形组间隔相同；至少有一组检测单元位于第一区，至少有一组检测单元位于第二区。本发明能够检测多种材料区域的光刻效果，避免了因不同材料区域的图形异常情况未被检测出来而导致衬底在后续工艺中报废或者出现成品率低下的现象出现。

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摘要：本发明涉及一种二维设计图形曝光后形变效应补偿方法，建立二维设计图形，设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差；在设计图形上先取一个点作为第一采样点，然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割；用光学接近修正术去做修正和仿真，得出这些点的边缘放置误差；建立标准光学接近修正模型，选取所采点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的点作为补偿边缘放置误差的计算点。本发明省去了设计规划检查程式的修复，大大减少了时间消耗，缩短了修正周期，降低了工作量，而且提高了准确性。

一种掩膜版缺陷修复方法-200910198555.0
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摘要：本发明提供一种掩膜版缺陷修复方法，掩膜版上形成遮光层图案后，对暴露出的缺陷石英区域进行修复，其特征在于，包括以下步骤：采用激光去除所述缺陷石英区域周围的遮光层，在所述缺陷石英区域的周围形成新暴露出的石英区域；使用聚焦离子束及有机气体，在所述新暴露出的石英区域的部分表面上沉积碳膜。本发明方法可更好的掌握修复精度，可明显确定的提高缺陷石英区域的穿透率，提高掩膜版的质量。

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摘要：一种定位装置，包括：基座；气浮式X-Y两坐标平面移动台；光掩模放置台，设置在该移动台上，并且包括固定台和旋转台，前者固定在移动台上，旋转台与移动台可旋转地连接；固定台上设置X-Y方向反射部件和显示移动台X-Y方向的标记；旋转台上设置若干真空孔，用于吸附固定光掩模版；光掩模上设置粗、细对准标记；激光定位装置，设置在基座上，发出光照射到所述反射部件并接受反射光以测定光掩模放置台位置；光掩模激光对准装置，设置在光掩模放置台上方，寻找并对准置于光掩模放置台上的光掩模的粗对准标记和细对准标记，以测定光掩模的精确位置。

制造掩膜版的方法-200910197615.7
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摘要：一种制造掩膜版的方法，所述方法包括：提供基底；在基底上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶；将光刻胶图形化；通过电镀技术在导电层未被光刻胶覆盖的表面形成金属层；去除光刻胶图形；去除未被金属层覆盖的导电层。解决由于过刻蚀形成的倒梯形金属层所导致的金属线断开缺陷，从而提高掩膜版的合格率，提高半导体器件的可靠性。

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摘要：本发明公开了一种在新工艺开发中评估套刻标记的方法。先是设计一块评估掩模板，包括套刻标记外框、套刻标记内框和遮挡图形三块区域，包含了新工艺中所用到的各种式样的套刻标记图形。其次是根据新工艺中各光刻层之间的对准表，拟定各光刻层之间各种式样套刻标记的所有制作方案。再按照所述制作方案把各套刻标记分别制作在一枚按新工艺制作的硅片不同曝光单元中。再是对所制作套刻标记的套准测试信号进行评估，选出各光刻层之间的套刻标记的最优式样和方案的组合。最后将选定的套刻标记组合应用到新工艺的整套掩模板制作方案中。本发明能高效的评估出新工艺中所需要的最优的套刻标记组合，缩短新工艺的开发周期。

光罩清洗方法-200910196549.1
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摘要：本发明公开了一种光罩清洗方法，当拆掉光罩上的光罩保护膜后，该方法包括：在光罩上的光罩保护膜粘贴区域均匀喷洒指定溶液，并对喷洒有指定溶液的区域进行单方向擦拭，当目测光罩上不存在残胶时，停止擦拭；依次利用臭氧水、去离子水、SC-1溶液和去离子水对光罩进行清洗；对清洗后的光罩进行干燥处理。应用本发明所述的方案，能够较好地去除光罩上的残胶。

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摘要：本发明提供检测光罩的方法及减少半导体产品返工率的方法。通过检测所述光罩上是否具有超出规格的粉尘颗粒；将其上具有超出规格的粉尘颗粒的光罩的图案转印到白控片；判断超出规格的粉尘颗粒在所述白控片上是否有成像，如果有成像，则所述光罩会影响良率，如果未成像，则所述光罩不影响良率。本发明解决了通过大量的半导体产品返工来检测光罩是否会影响良率的问题，可精确判断所述光是否会影响产品良率，以及判断半导体产品是否需要返工，从而减少不必要的返工。

掩膜板的检测方法-200910195217.1
发明人：朱瑜杰;陈宏璘;孙强;施春山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明提供了一种掩膜板的检测方法，包括步骤：预先根据在掩膜层中形成的光掩膜图形的目标特征尺寸计算目标曝光能量；提供掩膜板和半导体基底，在所述掩膜板上具有开口图形，在所述半导体基底上具有光掩膜层；利用小于目标曝光能量的测试曝光能量，透过掩膜板对所述半导体基底上的部分区域光掩膜层曝光；进行显影，形成光掩膜图形；对所述光掩膜图形进行检测。本发明可以对掩膜板上的缺陷进行检测。

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摘要：本实用新型提供了一种用于清洁曝光设备的母版上的图形区的清洁装置，其包括：导轨(5)，所述导轨(5)与母版(3)的长度方向平行地布置在所述母版(3)的侧部；套筒(6)，安装在所述导轨(5)上，并且能够沿所述导轨(5)自由滑动；其中，所述套筒(6)为圆柱形空心套筒，并包括：金属外壳(10)；以及粘性膜层(9)，套设在所述金属外壳(10)外。本清洁装置能够实现大面积全自动除尘，而操作人员只需定期检查并更换清洁装置即可。因此，既提高了曝光图形的质量又节省了人力物力。

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光掩膜的铬金属膜去除方法-200910055834.1
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摘要：一种光掩膜的铬金属膜去除方法，包括石英基板、以及依次镀在石英基板上的相位偏移膜及铬金属膜，该方法包括：在铬金属膜上涂布第一光刻胶层后，进行光掩膜图形的图案化；以图案化的光刻胶层作为保护层，刻蚀铬金属膜形成光掩膜图形，去除第一光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，干法刻蚀相位偏移膜形成相位偏移光掩膜图形；在铬金属膜以及相位偏移膜上涂布第二光刻胶层后，进行铬金属膜所需图形的图案化；以图案化的第二光刻胶层作为保护层，湿法刻蚀铬金属膜形成铬金属膜所需图形后，再以图案化的第二光刻胶层作为保护层，干法刻蚀残留的铬金属膜，去除光刻胶层。本发明在不耗费大量的时间和成本的前提下将光掩膜的铬金属膜去除干净。

降低光罩上沉淀物雾状缺陷的方法-200910056135.9
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摘要：本发明公开了一种降低光罩上沉淀物雾状缺陷的方法，该方法包括：在曝光前，将光罩存放在通有稀释气体的曝光机台光罩室scanner reticle library内；将光罩从scanner reticle library中取出，直接进行曝光处理；在曝光后，直接将光罩再次传入通有稀释气体的scanner reticle library中。采用该方法能够有效降低光罩上沉淀物雾状缺陷。

相移掩模遮光层残留物修复方法-200910055901.X
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摘要：本发明提供的一种相移掩模遮光层残留物修复方法，对覆盖在形成有接触孔的相移图层上的遮光层残留物进行修复，包括以下步骤：刻蚀位于接触孔四周的部分遮光层残留物曝露出其下的相移图层。该方法无需将所有残留遮光层都刻蚀掉，仅将非正常接触孔四围的残留遮光层刻蚀为不规则形状即可达到有效的改善接触孔的线宽和穿透率的明显效果。该方法易操作，改变了现有此类缺陷修复工艺耗时耗力的状况，大大缩短了工艺时间，降低了修复成本。

一种光罩清洗甩干装置-201020140660.7
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摘要：本实用新型公开了一种光罩清洗甩干装置，它包括甩干支撑机构(2)及设置在甩干支撑机构(2)上的浮动平台(3)，光罩(4)置于该浮动平台(3)上，其特征在于：所述浮动平台(3)通过设置在甩干支撑机构(2)上端面的浮动支撑滚珠(1)支撑，浮动轴(6)贯穿于甩干支撑机构(2)的中心孔并与浮动平台(3)底面凹槽滑动连接，浮动平台(3)的一侧连接有侧向弹力机构(5)。在旋转过程中，浮动轴与浮动平台产生一个相对位移，改变光罩旋转中心位置，实现甩干功能。

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发明人：周健;耿开远;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本实用新型涉及一种改进的阴极光刻版，包括正面阴极版和背面阴极版，其特征是所述正面阴极版在光刻可控硅片后产生的图形与背面阴极版在光刻可控硅片后产生的图形在俯视情况下形成有交叠区，所述交叠区呈钩状。本实用新型的优点是：能使可控硅四象限触发电流一致性得到明显提高。

一种金属光学灰度掩模及其制作方法-200980111157.9
发明人：郭传飞;刘前;曹四海;王永胜 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F1/00
摘要：一种金属光学灰度掩模包括在透明衬底上沉积一层金属薄膜，在金属薄膜表面进行激光直写，形成连续的、列阵式或任意图形的不同透明度的图形，其灰度值范围为3.0-0.05D，金属薄膜的厚度为5-100纳米。光学灰度掩模的制作方法包括采用常规半导体清洗工艺将所选择的透明衬底清洗干净，再在透明衬底上沉积金属薄膜，在金属薄膜上再进行激光直写，形成连续的、列阵式或任意图形的不同透明度的图形。这种灰度掩模价格低廉，防静电性能良好，分辨率能超过光学衍射极限。这种制备方法简单，有较宽的适用波段，用于微光学元件和微机电系统的大规模制作。

具有微型化结构的物体的加工方法-200980106819.3
发明人：迈克尔·巴达科;特里斯坦·布雷特;克劳斯·埃丁格;索斯藤·霍夫曼 -专利权人：卡尔蔡司SMS有限责任公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G03F1/00
摘要：本发明涉及一种加工具有微型化结构的物体的方法，具有步骤：将反应气体送到物体的表面上；为了在物体上沉积材料或从物体移除材料，通过将能量束引导到物体的表面上的要被加工的区域中的加工位置上来加工物体；探测该束与物体的相互作用产物，以及借助于从束与物体的探测的相互作用产物获得的信息，决定物体的加工是必须继续还是可被终止，为了确定所述物体的加工是必须继续还是可被终止，要被加工的区域被分解成为多个表面片段，且相同的表面片段的束照射的区域上探测的相互作用的产物被积分以形成总信号。

使用2D光子光刻和纳米压印来制造亚微米3D结构的3D模具及其工艺-200980108977.2
发明人：简锡恒 -专利权人：艳阳应用系统公司
申请日： 2009-11-23 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G03F1/00
摘要：公开了一种制造3D模具以制造高产量低成本的亚微米3D结构产品的工艺。该工艺整合使用了双光子激光光刻和3D刻写技术以制备3D结构产品的每一层的3D模型，且利用纳米压印由该层的所述3D模具形成3D结构的每一层的一片聚合物膜。该片聚合物膜的每一层然后制造成亚微米3D结构产品。高产量低成本的亚微米3D结构产品的每一层的3D模具进一步被用于制备主模具，该主模具然后用于形成3D结构的每一层的一片聚合物膜以制造亚微米3D结构产品。还公开了使用该工艺的应用。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法以及灰阶掩模有效

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